齐纳电压（Vz）：18V
　　容差：±2%
　　最大耗散功率（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23
　　引脚数：3
　　最大反向漏电流（IR）：100nA（在额定电压下）
　　齐纳电流（Iz）：5mA（典型测试电流）

BZT52B18T1G是一款高精度齐纳二极管，具有±2%的电压容差，确保在多种应用中提供稳定的参考电压。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适用于高密度电路设计。其最大耗散功率为300mW，能够在较高功率应用中稳定工作。BZT52B18T1G的工作温度范围从-55°C到150°C，适合在各种环境条件下使用。该齐纳二极管的典型齐纳电流为5mA，在测试和应用中表现出良好的稳定性和一致性。
　　BZT52B18T1G的电气性能优异，反向漏电流极低，通常在100nA以下，确保在低功耗电路中不会造成显著的电流损失。此外，该器件的热稳定性良好，在温度变化较大的情况下依然能够提供稳定的电压参考。这些特性使BZT52B18T1G成为多种电子设备的理想选择，尤其是在需要高精度电压参考的场合。

BZT52B18T1G主要用于需要稳定电压参考的电路中，例如电源管理电路、电压调节器、电池充电器、信号调理电路和传感器接口电路。它也常用于保护电路中，防止过电压损坏敏感的电子元件。此外，BZT52B18T1G还可用于音频和视频设备、工业控制系统、通信设备以及消费类电子产品中，提供可靠的电压参考和调节功能。

BZT52B18-7-F（Diodes Inc）、MMBZ52B18BLT1G（ON Semiconductor）、1N4742A（onsemi）