时间：2025/6/18 22:45:05
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NTD4863NT4G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件由ON Semiconductor生产，主要应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。其封装形式为TO-252 (DPAK)，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合需要高效功率转换和低损耗的应用环境。
这款MOSFET以其出色的电气性能和可靠性著称，能够在高温环境下稳定工作，同时支持表面贴装工艺以满足现代电子产品的紧凑设计需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：19A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：36nC
功耗：36W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
NTD4863NT4G采用先进的制造工艺，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，能够满足大功率应用的需求。
3. 紧凑的TO-252封装形式，便于自动化生产和空间受限的设计。
4. 快速开关速度，降低开关损耗。
5. 良好的热稳定性，确保在极端温度条件下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该MOSFET适用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电机驱动电路中的控制元件。
4. 汽车电子系统中的负载开关。
5. 工业设备中用于功率管理的解决方案。
6. 电池保护和充电管理系统中的关键组件。
NTD4863N, IRFZ44N, FDP5500
