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SEMIX223GD12E4C 发布时间 时间:2025/8/23 11:30:23 查看 阅读:26

SEMIX223GD12E4C 是一款由赛米控(SEMIKRON)制造的高性能功率模块,属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块的一种。该模块集成了多个IGBT器件和反向并联的二极管,适用于高功率密度和高效率的电力电子应用。该模块采用了紧凑的封装设计,具备良好的热性能和电气性能,适合在工业电机驱动、逆变器、新能源系统等场景中使用。

参数

型号:SEMIX223GD12E4C
  器件类型:IGBT模块
  封装类型:双列直插式(Dual Inline)
  额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):225A
  短路耐受能力:典型值为10μs
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值,IC=225A)
  二极管正向压降(VF):约2.3V(典型值,IF=225A)
  绝缘耐压等级:符合IEC 60176-1标准
  封装材料:高性能绝缘陶瓷基板(DCB)
  引脚数:19pin
  安装方式:PCB焊接或螺钉固定

特性

SEMIX223GD12E4C 功率模块具备多项先进的性能特点,适用于复杂和高要求的电力电子系统。首先,其1200V的额定集电极-发射极电压(VCES)使其适用于中高电压级别的应用,如工业变频器和UPS系统。额定集电极电流为225A,能够承受较大的负载电流,满足高功率输出的需求。
  其次,该模块采用了先进的芯片封装技术,具有较低的导通压降(VCE_sat)和二极管正向压降(VF),从而降低了导通损耗,提高了整体系统的能效。同时,模块具备良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。
  在热管理方面,SEMIX223GD12E4C采用了高性能陶瓷基板(DCB)和优化的散热结构,提升了模块的热传导效率,降低了温升,从而提高了长期运行的可靠性和寿命。
  此外,该模块的封装设计符合IEC标准,具备良好的绝缘性能和机械稳定性,能够在恶劣的工业环境中可靠运行。其双列直插式封装形式(19pin)便于安装和集成到各种电路板中,简化了系统设计和维护。
  综上所述,SEMIX223GD12E4C 凭借其高电压、大电流能力、低导通损耗、优异的热管理和高可靠性,成为工业电机控制、新能源变换系统和电力电子设备的理想选择。

应用

SEMIX223GD12E4C 主要应用于需要高效能、高可靠性的功率变换系统中。常见的应用包括工业变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、风力发电变流器以及电动汽车充电设备等。由于其高耐压、大电流能力和优异的热管理性能,该模块非常适合用于中高功率等级的电机驱动和能量转换系统。在工业自动化和智能制造领域,该模块可以作为核心功率器件,用于构建高效、紧凑的电机控制平台。在新能源领域,如光伏逆变器和储能系统中,SEMIX223GD12E4C 可以提供稳定的功率输出和高效的能量转换能力,满足绿色能源系统对高可靠性和高效率的要求。此外,该模块也适用于铁路牵引系统、电力调节装置等对安全性和稳定性有高要求的应用场景。

替代型号

SEMIX223GB12E4C, SEMIX222GD12E4C

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