时间：2025/6/20 23:33:16
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NTD4804N-1G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，适用于多种开关和功率转换应用。它采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，具有低导通电阻和出色的开关性能，能够在高频条件下实现高效能表现。
该器件广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备中的电源管理电路中。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：11A
导通电阻：4.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗：2.1W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
NTD4804N-1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频操作环境。
3. 较高的电流承载能力，支持大功率应用。
4. 优化的热性能，确保长时间稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 可靠性高，适用于严苛的工作条件。
这款 MOSFET 被广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动和负载切换。
4. 电池保护和管理系统。
5. 工业自动化中的继电器替代方案。
6. 各种消费类电子产品中的电源管理和功率调节。
NTD4904N, FDP5500, IRF7404
