型号：NP06DZB3R3M
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　封装类型：SOD-323
　　极性：单齐纳
　　标称齐纳电压：3.3V
　　测试电流 (IZT)：5mA
　　最大齐纳阻抗 (Zzt)：100Ω
　　最大反向漏电流 (IR)：1μA
　　功率耗散：200mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电压容差：±5%

NP06DZB3R3M齐纳二极管具备出色的电压稳定性和低动态阻抗特性，使其在精密电压参考应用中表现出色。其标称齐纳电压为3.3V，在5mA的测试电流下能够维持高度一致的输出电压，适用于低功耗系统中的基准源设计。该器件采用先进的平面技术制造，确保了良好的长期稳定性和抗老化能力，避免因时间推移导致的电压漂移问题。其±5%的电压容差在同级别产品中属于较高精度范围，有助于减少外围校准元件的需求，简化电路设计流程。
　　SOD-323封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 0.95mm），还具备优良的热传导性能，能够在有限空间内有效散热，支持持续工作的可靠性。该封装符合RoHS环保标准，并兼容自动化贴片生产工艺，适合大规模生产使用。此外，NP06DZB3R3M具有极低的反向漏电流（最大1μA），在待机或低功耗模式下几乎不消耗额外能量，特别适用于电池供电设备如智能手机、可穿戴装置和物联网传感器节点。
　　该齐纳二极管拥有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。其最大齐纳阻抗为100Ω，意味着在负载变化时仍能保持较小的电压波动，提升系统的整体稳定性。器件还具备快速响应能力，可用于瞬态电压抑制辅助电路，与TVS管配合实现多级过压防护。总体而言，NP06DZB3R3M结合了高精度、小尺寸和高可靠性，是现代电子系统中理想的电压钳位与参考解决方案。

NP06DZB3R3M常用于需要精确电压参考的小型化电子设备中，例如便携式消费电子产品中的电源监控电路、ADC或DAC的基准电压源、微控制器复位电路中的稳压环节。它也广泛应用于接口电平转换电路中，作为ESD保护和电压钳位元件，防止信号线因过压而损坏。在工业传感系统中，该器件可为模拟前端提供稳定的偏置电压，提高测量精度。此外，其高稳定性和低温漂特性使其适用于医疗监测设备、智能仪表和无线通信模块中的电源管理单元。由于其SOD-323封装的小型化优势，特别适合高密度PCB布局和空间受限的设计场景。

MMBZ5226B-3.3\nBZT52C3V3\nSZMZ4_3.3