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NTD4302T4G 发布时间 时间:2023/4/11 10:59:14 查看 阅读:619

类别:分离式半导体产品 

目录

概述

类别:分离式半导体产品 

家庭:MOSFET,GaNFET - 单 

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10 毫欧 @ 20A, 10V

漏极至源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8.4A

Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250μA 

闸电荷(Qg) @ Vgs:80nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2400pF @ 24V

功率 - 最大:1.04W

安装类型:表面贴装 

封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:D-Pak

其它名称:NTD4302T4GOSNTD4302T4GOS-NDNTD4302T4GOSTR

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTD4302T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 24V
  • 功率 - 最大1.04W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTD4302T4GOSNTD4302T4GOS-NDNTD4302T4GOSTR