时间：2025/6/29 15:07:41
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NTD3055L104G是一种N沟道功率MOSFET，属于Fairchild（现为Onsemi）的DMOS技术系列。该器件采用TO-263封装形式，广泛应用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
该MOSFET以其低导通电阻和高效率而闻名，非常适合要求高效能和低功耗的应用场合。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻：0.028Ω
栅极电荷：29nC
总功耗：1.6W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
NTD3055L104G具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提升整体系统效率。
2. 快速开关速度，得益于其较低的栅极电荷和输出电荷，从而减少了开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，提升了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 热稳定性良好，能够在高温环境下持续运行。
5. 符合RoHS标准，支持环保设计。
该MOSFET适用于多种电力电子领域：
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC/DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 消费类电子产品中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的电源管理模块。
NTD3055LE
IRF540N
FDP5800
