STB6NK60ZT4 时间：2025/7/22 8:03:40 阅读：8

STB6NK60ZT4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的技术，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热性能，适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：6A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单

特性

STB6NK60ZT4具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其高耐压能力（600V）允许其在高压电路中可靠工作，例如开关电源和电机驱动器。其次，低导通电阻（最大1.2Ω）减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。
　　此外，该MOSFET采用了先进的平面技术，提供优异的开关性能和耐用性。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热能力，还方便在PCB上安装和焊接。器件的栅极阈值电压范围适中（2V至4V），使其易于与标准驱动电路兼容。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，增强了系统的稳定性与可靠性。由于其优异的热性能和耐用性，STB6NK60ZT4可以在苛刻的环境中长期运行。

应用

STB6NK60ZT4广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机控制、照明系统、电池充电器以及工业自动化设备。在开关电源中，该MOSFET用于高效能DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，提供高效率和紧凑的设计方案。
　　在电机驱动应用中，STB6NK60ZT4可以用于控制直流电机或步进电机的转向和速度，适用于家用电器、电动工具和自动化机械。此外，该器件还可用于LED照明系统的电源管理，确保稳定的电流输出和高效的能量转换。
　　在电池管理系统中，STB6NK60ZT4可用于充放电控制电路，提供可靠的开关性能和过流保护功能。其广泛的应用范围使其成为工业和消费类电子产品设计中的理想选择。