NTD3055-094T4G
时间:2023/4/11 10:02:02
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概述
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):94
最大漏极电流Id(on)(A):9
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:60 V, 9.0 A功率MOSFET
NTD3055-094T4G参数
- 标准包装2,500
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C94 毫欧 @ 6A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds450pF @ 25V
- 功率 - 最大1.5W
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装DPAK-3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称NTD3055-094T4GOSTR