时间：2025/5/9 12:24:59
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NTD3055-094G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 ON Semiconductor（安森美）的 NT 系列。该器件采用 TO-220 封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等电路中。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能功率管理应用的理想选择。
NTD3055-094G 的最大特点是具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的漏极电流容量，这有助于减少功耗并提高效率。
最大漏极电流：18A
最大栅源电压：±20V
最大漏源电压：60V
导通电阻：20mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：115W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
NTD3055-094G 提供了出色的电气性能，包括低导通电阻和快速开关速度。这些特性使得该器件在高频开关应用中表现优异，并能够显著降低传导损耗。
此外，它还具备良好的热稳定性，在较高温度环境下仍能保持稳定运行。其坚固的设计也确保了在恶劣环境下的可靠性。
主要特点如下：
- 高电流承载能力
- 极低的导通电阻以减少功率损耗
- 快速开关性能
- 宽工作温度范围
- 符合 RoHS 标准
- 可靠性高，适用于工业级应用
NTD3055-094G 常用于需要高效功率转换和低损耗的场景，具体应用包括：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统 (BMS)
- 电机驱动和控制
- 汽车电子系统中的负载切换
- 工业自动化设备中的功率控制
- 各种保护电路如过流保护和短路保护
由于其优秀的性能指标，这款 MOSFET 在消费类电子产品、工业设备以及汽车领域都得到了广泛应用。
NTD3055L
IRF540N
FDP5580
STP18NF55
