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NTD3055-094 发布时间 时间:2025/6/22 14:47:31 查看 阅读:5

NTD3055-094是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够在高频条件下实现高效的功率转换。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:78A
  栅源开启电压:2.1V~4V
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  总功耗:140W
  结温范围:-55℃~175℃

特性

NTD3055-094采用了先进的制造工艺,使其具备出色的电气性能。
  1. 超低导通电阻:能够显著减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 高电流能力:支持高达78A的连续漏极电流,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度:有助于降低开关损耗,并允许在高频条件下使用。
  4. 热稳定性强:工作结温范围宽,能够在恶劣环境下保持稳定运行。
  5. 小型化设计:尽管为大电流功率MOSFET,其紧凑的TO-220封装便于安装和散热管理。

应用

这款MOSFET适用于多种高功率密度场景:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
  4. 汽车电子设备中的负载切换和保护。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP75NF06L
  FDP55N06L

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NTD3055-094参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C94 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds450pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装管件