时间：2023/4/12 11:17:33
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NTD25P03LT4G技术参数
源漏极间雪崩电压VBR(V)：30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：72
最大漏极电流Id(on)(A)：25
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：DPAK 4/-55 ~150
描述：-25 A, -30 V功率MOSFET
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
