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NTD25P03LT4G 发布时间 时间:2023/4/12 11:17:33 查看 阅读:610

NTD25P03LT4G技术参数

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):72

最大漏极电流Id(on)(A):25

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150

描述:-25 A, -30 V功率MOSFET

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTD25P03LT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 25A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1260pF @ 25V
  • 功率 - 最大75W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTD25P03LT4GOSNTD25P03LT4GOS-NDNTD25P03LT4GOSTR