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NTD24N06LG 发布时间 时间:2025/6/5 21:56:20 查看 阅读:8

NTD24N06LG是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,由ON Semiconductor(安森美半导体)生产。该器件采用TO-252封装形式,适用于多种开关和功率管理应用。其设计目的是为低电压应用提供高效的功率切换解决方案。
  NTD24N06LG具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够减少传导损耗,从而提高整体系统效率。这款MOSFET在电机驱动、DC-DC转换器、负载开关、电池保护以及各种电源管理电路中表现优异。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):24A
  导通电阻(Rds(on)):9.5mΩ
  总功耗(Ptot):1.2W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-252

特性

NTD24N06LG具备以下几个主要特性:
  1. 非常低的导通电阻(典型值为9.5mΩ),有助于降低功耗并提升效率。
  2. 高速开关能力,可实现快速的开启和关断操作,适合高频应用。
  3. 极低的输入电容(Ciss),降低了开关过程中的动态损耗。
  4. 热稳定性好,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 具有较高的雪崩击穿能量(EAS),增强了器件的耐用性和可靠性。

应用

NTD24N06LG广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 电机控制电路中的驱动开关。
  4. 负载开关和电池保护电路中的关键组件。
  5. 各类便携式电子设备的高效功率管理。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

NTD24N06L, IRFZ24N, FDP2822

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NTD24N06LG参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 10A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1140pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.36W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装管件