类型：GaAs HBT射频晶体管
　　工作频率：最高可达6 GHz
　　集电极-发射极电压（Vce）：10 V
　　最大集电极电流（Ic）：200 mA
　　输出功率：约1.2 W（在2 GHz）
　　增益：约18 dB（典型值）
　　噪声系数：约1.8 dB（在2 GHz）
　　封装类型：SOT-89

UMC3N C3 拥有出色的高频性能，适用于高达6 GHz的射频应用，这使其成为宽带射频放大器和高线性度发射器电路的理想选择。该器件采用了 GaAs HBT 技术，具有良好的线性度和高增益，能够在高频下提供稳定的工作性能。UMC3N C3 还具有较低的噪声系数，这在接收器前端应用中尤为重要，因为它有助于保持信号的清晰度和信噪比。
　　此外，UMC3N C3 采用 SOT-89 封装，这种封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热能力，能够适应较高的功耗环境。该器件的工作电压较低（10V），适合用于低功耗、高效能的系统设计。其最大集电极电流为200mA，输出功率在2GHz时可达到1.2W，这使得它适用于中等功率级别的射频放大器应用。

UMC3N C3 主要应用于射频和微波通信系统中的放大器设计，包括无线基站、射频测试设备、雷达系统、卫星通信设备以及工业监测系统等。由于其良好的高频特性和线性度，该晶体管特别适合用于需要宽频带操作和高稳定性的场合。在无线通信系统中，UMC3N C3 常被用作发射器的驱动级放大器或接收器的前置放大器，以增强信号的强度和清晰度。此外，该器件也广泛用于实验室测试设备和便携式通信设备中，提供稳定可靠的射频信号放大能力。

BFP420, ATF-54143