NTD20P06LT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于各种中低功率的开关应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。NTD20P06LT 的封装形式通常为 TO-252 (DPAK),适合表面贴装技术 (SMT) 使用,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
这款 MOSFET 在设计时特别注重其在高频开关条件下的性能表现,同时提供了良好的热特性和电气稳定性,使其成为许多高可靠性应用的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:20A
导通电阻:150mΩ(典型值)
栅极电荷:4nC(典型值)
开关时间:t_on=35ns,t_off=18ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装类型:TO-252 (DPAK)
NTD20P06LT 具有以下显著特性:
1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力,确保在高频电路中的出色表现。
3. 较小的栅极电荷 (Qg),使得驱动功耗得以优化。
4. 良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持可靠的性能。
5. 表面贴装封装 (TO-252 DPAK),易于自动化生产,节省空间。
6. 宽泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境的应用需求。
NTD20P06LT 可用于以下应用场景:
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
2. 直流-直流转换器 (DC-DC Converter) 中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 工业设备中的功率调节与控制模块。
6. 汽车电子中的电池管理系统 (BMS) 和其他相关功能模块。
NTD20P06L, IRFZ44N, FDP20N6