类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值5.3mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）
　　极数：3（漏极、栅极、源极）

HYG161P10LA1S 采用了先进的沟槽栅极技术，能够显著降低导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高效率。该器件的低导通电阻使其适用于高电流和高功率的应用，例如电源转换、电机控制以及工业自动化设备。此外，该MOSFET具备较高的栅极电压耐受能力（±20V），在各种驱动条件下都能保持稳定的工作状态。
　　封装形式采用TO-263（D2Pak），这种表面贴装封装具有良好的热性能和机械强度，非常适合需要高散热效率的场合。该封装还能提供良好的电气绝缘和抗干扰能力，使器件在高温或恶劣环境下依然可靠运行。
　　该MOSFET的连续漏极电流可达160A，支持在大功率负载下长时间运行。同时，其最大功率耗散为250W，进一步提升了其在高功率应用中的适用性。此外，HYG161P10LA1S 的工作温度范围为-55°C至175°C，使其能够在极端温度条件下稳定工作，适用于各种工业和汽车电子应用。

HYG161P10LA1S 广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及各类工业控制设备。由于其具备高电流承载能力和低导通电阻，该器件在高性能电源转换电路中表现尤为出色，能够有效提高系统效率并降低热损耗。
　　在电机控制和驱动电路中，HYG161P10LA1S 可用于H桥结构的高端或低端开关，实现对直流电机或步进电机的高效控制。此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）和储能系统中的高电流开关应用。
　　由于其优异的热性能和高可靠性，HYG161P10LA1S 也被广泛用于汽车电子领域，例如车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等。在这些应用中，该器件能够在高温和高负载条件下保持稳定运行，满足汽车电子对高可靠性的严格要求。

SiHF160N10DY-TM-E | IXFN160N10T | STP160N10F7 | FDP160N10A | IPP160N10N3 G | TK160E10N1