时间：2025/6/18 22:44:30
阅读：3
NTD20N03L27T4G-UDU 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 DPAK 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能电源转换和电机驱动应用。其额定电压为 30V，能够提供高达 20A 的连续漏极电流。
这种 MOSFET 在设计上优化了栅极电荷，从而减少了开关损耗，并且具备出色的热性能以确保在高功率环境下的稳定运行。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：2300pF
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DPAK (TO-252)
该 MOSFET 提供了非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
它还具有较小的栅极电荷，这使其非常适合高频开关应用。此外，NTD20N03L27T4G-UDU 具备快速的开关速度和良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
由于采用了 DPAK 封装，这款器件拥有优良的散热性能，适合用于需要高效散热的设计场景。
广泛应用于直流-直流转换器、负载点调节器、电池保护电路、电机驱动器、LED 驱动器以及各类工业控制设备中。
特别是在对效率要求较高的场合下，如笔记本电脑适配器、服务器电源等，该 MOSFET 能够发挥其优势。
NTD20N03L27T4G
