时间：2025/7/4 5:25:23
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NTD20N03G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该器件采用TO-252封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
NTD20N03G的工作电压范围为30V，能够提供较大的电流输出能力，并且具备良好的热性能表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：27nC（最大值）
输入电容：950pF（典型值）
开关时间：ton=11ns，toff=14ns（典型值）
结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252
NTD20N03G具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适用于高频开关应用。
3. 较高的雪崩击穿能量，增强了器件的可靠性。
4. 小型化封装设计，便于安装和散热管理。
5. 良好的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
6. 内置保护功能，防止过流或短路情况下的损坏。
7. 符合RoHS标准，绿色环保无铅工艺生产。
NTD20N03G可应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 各类DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. LED驱动电路中的功率调节元件。
6. 各种工业控制和汽车电子系统中的功率管理模块。
其高效能和高可靠性使其成为众多功率转换和控制应用的理想选择。
NTD20N03L
IRF3710
STP20NF03L
