时间：2025/8/25 0:42:01
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NTD14N03RTCG是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高频率、高效率的功率转换应用。这款MOSFET设计用于在较低的导通电阻下提供较高的电流处理能力，从而减少功率损耗并提高整体系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：14A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大为26mΩ（在VGS=10V时）
封装类型：PowerPAK SO-8
工作温度范围：-55°C至175°C
NTD14N03RTCG MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高性能电源管理系统。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高能效。此外，该器件支持高频率操作，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及负载开关等应用。其封装形式PowerPAK SO-8不仅节省空间，还提供了良好的热性能，有助于实现紧凑的PCB布局和高效的热管理。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间工作，使其兼容多种驱动电路设计。同时，其高雪崩能量能力增强了器件的可靠性和耐用性，适用于需要高稳定性的工业和汽车应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于对环境影响有严格要求的设计。
NTD14N03RTCG广泛应用于多个领域，包括但不限于：服务器和通信设备的电源管理、电池管理系统、DC-DC降压和升压转换器、负载开关控制、电机驱动电路以及汽车电子系统。由于其高效能和小尺寸封装，该MOSFET也常用于便携式电子设备和嵌入式系统中，以实现更紧凑的电源设计。
NTD14N03RFTCG、NTD14N03LT1G、FDS6680、Si4410BDY
