时间：2025/6/5 23:50:54
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CGA3E2NP01H152J080AA 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，能够实现低导通电阻和快速开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动器以及各种电源管理模块中。其封装形式紧凑，能够有效节省电路板空间。
型号：CGA3E2NP01H152J080AA
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：30A
导通电阻(RDS(on))：1.5mΩ
总功耗(Ptot)：160W
工作温度范围(Top)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3L
CGA3E2NP01H152J080AA 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，仅为 1.5mΩ，可显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，具备较低的输入电容和输出电荷量，适用于高频开关应用。
3. 高耐压能力，最大漏源电压为 60V，确保在较高电压环境下可靠运行。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应多种极端环境条件。
5. 强大的过流保护功能，确保长时间稳定工作。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于需要高效功率转换的领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器。
3. 电机驱动控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 新能源汽车中的逆变器与充电装置。
6. 高性能电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制部分。
CGA3E2NP01H152J080AB, CGA3E2NP01H152J080AC
