LESD8D3.3T5G 时间：2025/8/14 0:48:24 阅读：32

LESD8D3.3T5G是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的静电放电（ESD）保护二极管，主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电、浪涌电流和其他瞬态电压的损害。该器件采用双线配置，具备双向保护功能，适用于需要高可靠性和稳定性的应用环境。LESD8D3.3T5G广泛用于通信设备、消费类电子产品和工业控制系统中，以确保电路的稳定性和长期运行的可靠性。

参数

类型：双向ESD保护二极管
　　工作电压：3.3V
　　最大反向工作电压：5.0V
　　最大钳位电压：9.0V（在Ipp = 1A时）
　　峰值脉冲电流(Ipp)：1A（8/20μs波形）
　　响应时间：<1ns
　　封装形式：SOD-882
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C

特性

LESD8D3.3T5G具备优异的ESD保护性能，能够有效吸收高达±15kV的静电放电，保护电路不受损坏。其快速响应时间低于1纳秒，使其能够在瞬态电压事件发生时迅速启动，提供即时保护。此外，该器件的钳位电压较低，在1A的峰值脉冲电流下仅为9.0V，有助于减少对受保护设备的电压应力，提高系统的稳定性。
　　该ESD保护二极管采用SOD-882小型封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。其双向保护功能使其适用于正负电压波动的环境，非常适合用于USB接口、HDMI端口、以太网连接器等常见的高速数据传输接口。LESD8D3.3T5G还具备优异的浪涌电流承受能力，确保在恶劣电磁环境下依然能提供可靠的电路保护。
　　在可靠性方面，LESD8D3.3T5G符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于车载电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）等。该器件的低漏电流特性也确保在正常工作条件下不会对电路造成额外的功耗负担，有助于延长设备的使用寿命。

应用

LESD8D3.3T5G广泛应用于需要高可靠ESD保护的各种电子设备中，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业控制设备、通信模块和汽车电子系统。它特别适用于保护高速数据线路，如USB 2.0、HDMI、RS-485、CAN总线等接口，防止因静电放电或瞬态电压导致的数据传输中断或硬件损坏。在消费类电子产品中，该器件常用于保护充电接口、耳机插孔和传感器接口。在汽车电子领域，LESD8D3.3T5G可用于车载导航系统、摄像头模块和车载网络接口，确保车辆电子系统的稳定性和安全性。