时间：2025/6/17 9:32:26
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NTD12N10T4G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率和低导通电阻应用设计。该器件采用 Trench 技术制造，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。
NTD12N10T4G 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，支持表面贴装技术 (SMT)，有助于提高电路板的空间利用率和装配效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷：36nC
输入电容：900pF
总功耗：2.7W
工作结温范围：-55℃ to 150℃
NTD12N10T4G 的主要特点是其超低导通电阻，这使得它在高频开关应用中能够有效降低传导损耗。此外，该器件具有较快的开关速度和较低的栅极电荷，可减少开关损耗并提高系统效率。
它的紧凑型 TO-252 封装使其非常适合空间受限的应用场景，同时支持自动化 SMT 生产线，从而降低了制造成本。由于具备良好的热性能，NTD12N10T4G 还能够在较高温度条件下稳定运行，适用于各种工业和消费类电子设备。
该 MOSFET 常用于以下领域：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 电池管理系统 (BMS)
- 负载开关和保护电路
- 各种功率转换和控制模块
NTD12N10T4
IRFZ44N
FDP5500
STP12NK06Z
