时间：2025/7/11 20:15:31
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NTD12N10-1G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Nexperia 生产。该器件适用于各种开关和功率管理应用，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合在中小功率电路中使用。
其封装形式为 SOT223，这种封装形式能够提供良好的散热性能，并且易于焊接和安装。NTD12N10-1G 广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域源电压：100V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：0.09Ω
栅极电荷：15nC
开关时间：ton=8ns，toff=16ns
结温范围：-55℃ 至 +150℃
NTD12N10-1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下减少功耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适用于高频开关电源和其他高速切换场景。
3. 小尺寸 SOT223 封装，节省 PCB 空间，同时具备良好的热性能。
4. 栅极阈值电压经过优化，确保在逻辑电平驱动下工作可靠。
5. 具有出色的雪崩能力和耐用性，增强了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
NTD12N10-1G 被广泛用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流/直流转换器中的同步整流元件。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 电机驱动和逆变器电路。
5. 电池管理系统的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
NTD12N10H-1G, IRF840, STP12NF06
