STL8N80K5 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,采用先进的SuperMESH技术,具备优异的导通电阻和开关性能。该器件专为高能效电源管理应用设计,广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):800V
连续漏极电流(Id):8A @ TC=100℃
栅极阈值电压(Vgs(th)):3V ~ 5V
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):50W
工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
封装类型:TO-220、TO-262、TO-263等
STL8N80K5 采用STMicroelectronics的SuperMESH技术,这是一种优化的平面栅极结构,显著降低了导通电阻(Rds(on))并提升了开关性能。与同类产品相比,该器件在高频工作条件下表现出更低的开关损耗,从而提高了整体系统效率。
此外,该MOSFET具备优异的热稳定性和雪崩能量承受能力,确保在极端工作条件下依然保持可靠运行。其栅极氧化层经过优化设计,提高了抗静电能力和长期工作的稳定性。
STL8N80K5还具备低栅极电荷(Qg)特性,这使得其在高频开关应用中能够有效降低驱动损耗,提升整体系统的响应速度和效率。同时,其封装设计具备良好的散热性能,有助于在高功率应用中维持较低的结温,延长器件寿命。
该器件符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的工业和消费类电子产品。
STL8N80K5 主要应用于需要高电压和高效率的功率转换系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,该MOSFET可作为主开关管,提供高效的能量转换并减少发热;在DC-DC转换器中,其低导通电阻和快速开关特性可显著提高能效,尤其适用于Boost和Buck电路拓扑。
在工业自动化和电机控制领域,STL8N80K5 可用于电机驱动电路中的高边或低边开关,提供稳定的负载控制和过载保护能力。此外,在LED照明驱动、电池充电器以及光伏逆变器等应用中,该器件也能发挥出色的性能。
由于其具备良好的热管理和高可靠性,STL8N80K5 也常用于家电中的电源模块,如空调、洗衣机和电热水器等设备的功率控制部分。
STP8NK80Z、STP12NK80Z、STL6N80K5