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STL8N80K5 发布时间 时间:2025/7/22 14:56:19 查看 阅读:6

STL8N80K5 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,采用先进的SuperMESH技术,具备优异的导通电阻和开关性能。该器件专为高能效电源管理应用设计,广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):800V
  连续漏极电流(Id):8A @ TC=100℃
  栅极阈值电压(Vgs(th)):3V ~ 5V
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):50W
  工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
  封装类型:TO-220、TO-262、TO-263等

特性

STL8N80K5 采用STMicroelectronics的SuperMESH技术,这是一种优化的平面栅极结构,显著降低了导通电阻(Rds(on))并提升了开关性能。与同类产品相比,该器件在高频工作条件下表现出更低的开关损耗,从而提高了整体系统效率。
  此外,该MOSFET具备优异的热稳定性和雪崩能量承受能力,确保在极端工作条件下依然保持可靠运行。其栅极氧化层经过优化设计,提高了抗静电能力和长期工作的稳定性。
  STL8N80K5还具备低栅极电荷(Qg)特性,这使得其在高频开关应用中能够有效降低驱动损耗,提升整体系统的响应速度和效率。同时,其封装设计具备良好的散热性能,有助于在高功率应用中维持较低的结温,延长器件寿命。
  该器件符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的工业和消费类电子产品。

应用

STL8N80K5 主要应用于需要高电压和高效率的功率转换系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,该MOSFET可作为主开关管,提供高效的能量转换并减少发热;在DC-DC转换器中,其低导通电阻和快速开关特性可显著提高能效,尤其适用于Boost和Buck电路拓扑。
  在工业自动化和电机控制领域,STL8N80K5 可用于电机驱动电路中的高边或低边开关,提供稳定的负载控制和过载保护能力。此外,在LED照明驱动、电池充电器以及光伏逆变器等应用中,该器件也能发挥出色的性能。
  由于其具备良好的热管理和高可靠性,STL8N80K5 也常用于家电中的电源模块,如空调、洗衣机和电热水器等设备的功率控制部分。

替代型号

STP8NK80Z、STP12NK80Z、STL6N80K5

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STL8N80K5参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥23.37000剪切带(CT)3,000 : ¥11.72486卷带(TR)
  • 系列SuperMESH5?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)950 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)16.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)450 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)42W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerFlat?(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN