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NTB90N02G 发布时间 时间:2025/5/31 1:28:21 查看 阅读:8

NTB90N02G 是一款 N 沣道通态 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效功率转换的应用场景。其额定电压为 20V,能够承受较高的电流负载,并且具备良好的热性能。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:90A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:开启延迟时间 18ns,关断下降时间 27ns
  封装形式:TO-263

特性

NTB90N02G 的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,该器件的高电流承载能力使其非常适合大功率应用,例如电机驱动、工业电源和不间断电源(UPS)。它还具有快速开关能力,从而降低开关损耗。
  其 TO-263 封装提供了良好的散热性能,适合表面贴装技术(SMT)应用。这种封装方式不仅简化了组装过程,还增强了产品的可靠性。
  另外,由于 NTB90N02G 的设计注重高温环境下的稳定性,因此在恶劣的工作条件下依然可以保持优异的性能。

应用

NTB90N02G 广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源 (SMPS)
  2. 直流-直流转换器 (DC-DC Converter)
  3. 电机控制与驱动
  4. 不间断电源 (UPS) 系统
  5. 工业自动化设备
  6. 大功率 LED 驱动器
  这些应用充分利用了 NTB90N02G 的低导通电阻和高电流处理能力,确保系统的高效运行。

替代型号

NTB90N02L
  IRLB8726PBF
  STP90NE06L

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NTB90N02G参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)24V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.8 毫欧 @ 90A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2120pF @ 20V
  • 功率 - 最大85W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件