时间：2025/5/31 1:28:21
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NTB90N02G 是一款 N 沣道通态 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效功率转换的应用场景。其额定电压为 20V，能够承受较高的电流负载，并且具备良好的热性能。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：开启延迟时间 18ns，关断下降时间 27ns
封装形式：TO-263
NTB90N02G 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该器件的高电流承载能力使其非常适合大功率应用，例如电机驱动、工业电源和不间断电源（UPS）。它还具有快速开关能力，从而降低开关损耗。
其 TO-263 封装提供了良好的散热性能，适合表面贴装技术（SMT）应用。这种封装方式不仅简化了组装过程，还增强了产品的可靠性。
另外，由于 NTB90N02G 的设计注重高温环境下的稳定性，因此在恶劣的工作条件下依然可以保持优异的性能。
NTB90N02G 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS)
2. 直流-直流转换器 (DC-DC Converter)
3. 电机控制与驱动
4. 不间断电源 (UPS) 系统
5. 工业自动化设备
6. 大功率 LED 驱动器
这些应用充分利用了 NTB90N02G 的低导通电阻和高电流处理能力，确保系统的高效运行。
NTB90N02L
IRLB8726PBF
STP90NE06L
