时间：2025/9/14 23:38:24
阅读：12
BSP19,115 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于开关应用，具有较高的效率和较低的导通电阻，适用于各种电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等场景。BSP19,115 采用小型表面贴装封装（如 SOT-223 或 TO-252），适用于自动化装配和高密度 PCB 布局。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.6 A
最大漏源电压（VDS）：100 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：约 2.4 Ω @ VGS = 10 V
栅极电荷（Qg）：11 nC
封装类型：SOT-223 / TO-252
BSP19,115 具备优异的导通性能和快速开关特性，使其在功率控制应用中表现出色。该器件具有较低的 RDS(on)，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5 V 至 20 V 的工作电压，适用于多种驱动电路。此外，该 MOSFET具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定工作。
BSP19,115 的封装设计支持高效的散热管理，适合用于高密度电源设计。其表面贴装封装便于自动化生产，提高了制造效率。该器件还具备良好的短路耐受能力，可在一定程度上防止因过载或短路导致的损坏。其栅极氧化层设计优化，提高了器件的长期可靠性和抗静电能力。
BSP19,115 广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、LED 照明控制、电池管理系统以及工业自动化设备中的负载开关。该器件也常用于消费类电子产品，如智能家电、便携式充电器和电源适配器中，以提高能效和减小电路体积。
BUZ105, IRF510, FQP1N100, STP1NK100Z
