类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值8.0mΩ（典型值7.5mΩ）
　　功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C

KIA30N03BD具备低导通电阻的特性，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其8mΩ的RDS(on)值在4.5V栅极驱动电压下即可实现，支持低电压驱动电路的应用，如由DC-DC转换器或电池供电系统驱动的MOSFET开关电路。
　　该器件采用先进的沟槽技术，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和耐用性。此外，KIA30N03BD具有良好的热稳定性，在高功率应用中能够有效散热，确保长时间运行的可靠性。
　　封装方面，TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上进行自动化组装，适合大批量生产。该封装形式也增强了器件的机械强度，提高了在恶劣环境下的耐用性。
　　此外，该MOSFET具有较高的栅极电荷（Qg）和较低的输入电容（Ciss），适用于中高频开关应用，可以在电源转换器中实现较高的开关速度和较低的开关损耗。

KIA30N03BD适用于多种高电流和低电压应用场景。其主要应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。
　　在电源管理领域，KIA30N03BD可用于高效能电源转换系统，如服务器电源、通信设备电源、工业电源模块等，帮助提高能源利用效率并减少发热。
　　在电机控制方面，该器件可用于电动工具、电动车控制器以及自动化设备中的电机驱动电路，提供高效率和高可靠性的开关性能。
　　此外，KIA30N03BD也可用于电池供电系统，如笔记本电脑、平板电脑、UPS（不间断电源）以及储能系统中的电池保护与充放电控制电路。
　　在汽车电子领域，该MOSFET适用于车载电源系统、LED车灯驱动、车载充电器等应用，满足对高可靠性和高效率的严格要求。

Si4410BDY, IRF3710, STP60NF03, FDD6679