时间：2025/6/7 14:33:02
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NTB6413ANG是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
NTB6413ANG通过优化设计实现了更低的导通损耗和开关损耗，在高频工作条件下表现尤为出色。其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热特性和电气连接可靠性。
型号：NTB6413ANG
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极耐压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值@Vgs=10V）：1.5mΩ
Id（持续漏电流）：87A
Qg（栅极电荷）：18nC
Bvdss（击穿电压）：60V
EAS（雪崩能量）：39mJ
封装：TO-252（DPAK）
1. 极低的导通电阻Rds(on)，在10V栅极驱动电压下仅为1.5mΩ，能够大幅降低功率损耗。
2. 高额定电流能力，最大支持87A的连续漏电流。
3. 快速开关特性，得益于其较小的栅极电荷Qg（18nC），适合高频应用。
4. 良好的热性能，采用TO-252封装提供优异的散热通道。
5. 出色的耐用性，能够承受较高的雪崩能量（39mJ）。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 其他需要高效功率开关的应用场景。
NTB6413ALG, IRF7739TRPBF, AO6413
