时间：2025/6/29 7:47:03
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QMK212SD181KD-T是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类高效能功率转换电路中。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
这款器件通常以TO-263封装形式提供，具备良好的散热性能和较高的电流承载能力，适合在高功率密度的设计中使用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：开启时间35ns，关断时间20ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，适用于高频应用环境。
3. 高额定电流和耐压能力，确保器件在高负载条件下稳定运行。
4. 优化的热设计，支持高效的散热管理。
5. 具备优异的雪崩能力和抗静电性能，增强系统的可靠性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关。
2. 各类DC-DC转换器及同步整流电路。
3. 工业电机控制与驱动。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源发电系统。
6. 高效功率模块及电力电子设备。
QMK212SD180KD-T, IRFZ44N, FDP18N65S
