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NTB6410ANG 发布时间 时间:2025/6/9 18:38:58 查看 阅读:29

NTB6410ANG是一款由安森美(onsemi)推出的高集成度、双通道N沟道MOSFET驱动器芯片,主要用于提高功率转换效率和系统可靠性。该器件适用于需要快速开关和低功耗的场景,如DC-DC转换器、电机驱动、LED驱动以及各种工业控制应用。NTB6410ANG采用SOIC-8封装,具有出色的热性能和电气特性。

参数

工作电压:4.5V~18V
  输出电流:每通道最大2A
  栅极驱动电压:支持高达18V
  传播延迟:典型值15ns
  静态电流:典型值5μA
  封装形式:SOIC-8

特性

NTB6410ANG的核心优势在于其双通道设计,可以独立驱动两个N沟道MOSFET,从而实现高效的功率转换和更低的功耗。
  它具备以下特点:
  1. 高速开关能力:得益于低传播延迟和快速响应时间,能够显著降低开关损耗。
  2. 强大的驱动能力:每个通道可提供高达2A的峰值电流,确保即使在高频工作条件下也能可靠驱动MOSFET。
  3. 宽输入电压范围:支持4.5V至18V的工作电压范围,适应多种应用场景。
  4. 低静态电流:典型值仅为5μA,非常适合对功耗敏感的设计。
  5. 过温保护功能:内置过温关断保护机制,提升系统安全性。
  6. 小型化封装:采用SOIC-8封装,节省PCB空间并优化散热性能。

应用

NTB6410ANG广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流驱动。
  2. DC-DC转换器设计中的高端和低端MOSFET驱动。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
  4. LED照明系统的恒流驱动。
  5. 各种电池管理方案中的充放电控制。
  6. 汽车电子中需要高效功率切换的应用场景。

替代型号

NTB6410NPG, NTB6411ANG

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NTB6410ANG参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C76A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 76A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 25V
  • 功率 - 最大188W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件