时间：2025/8/20 19:20:30
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NTB60N06T4是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于各种高功率和高频应用。该器件由Nexperia生产，采用了先进的TrenchMOS技术，提供了优异的导通电阻和开关性能。这种MOSFET常用于电源转换、电机控制和负载开关等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为9.8mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
NTB60N06T4具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。该器件的封装设计支持高功率耗散，使其适用于高电流应用。此外，其高栅极电荷和快速开关特性使其适合在高频条件下使用，从而减少了开关损耗。该MOSFET还具有高耐用性和可靠性，适合在恶劣环境中使用。
NTB60N06T4常用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和电源管理系统。它也适用于电池供电设备、汽车电子系统以及工业控制设备中的功率开关应用。
IPB60N06S4-03
