NTB30N20G 时间：2025/12/25 6:40:27 阅读：13

NTB30N20G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的高压工艺制造，具备优异的导通特性和热稳定性，适用于各种需要高效率和高可靠性的应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：约 0.135Ω（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK（具体取决于制造商）

特性

NTB30N20G 具备多项优异的电气和物理特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。首先，其最大漏源电压为 200V，能够在高电压环境下稳定工作，同时具备较高的漏极电流承载能力（30A），适用于中高功率场合。
　　该器件的导通电阻 RDS(on) 典型值为 0.135Ω，能够显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。此外，NTB30N20G 具备较高的栅极电压容限（±20V），在驱动过程中具备更好的稳定性和抗干扰能力，降低了因栅极电压波动导致器件损坏的风险。
　　NTB30N20G 采用 TO-220 或 D2PAK 封装，具备良好的散热性能，能够在较高工作温度下保持稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应各种严苛的环境条件，适用于工业控制、电源转换、DC-DC 转换器、电机驱动等应用。
　　该器件还具备快速开关能力，能够减少开关损耗并提高系统响应速度。此外，其内部结构设计优化了寄生电容，降低了高频工作时的噪声和干扰，有助于提高整体系统的电磁兼容性（EMC）性能。

应用

NTB30N20G 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **电源转换系统**：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器中作为主开关器件，提升系统效率并减少热量产生。
　　2. **工业控制设备**：用于电机控制、负载开关、继电器替代等场景，具备高可靠性和长寿命。
　　3. **不间断电源（UPS）**：作为关键开关元件，用于实现高效能量转换和稳定的输出电压。
　　4. **新能源系统**：如太阳能逆变器、储能系统等，适用于需要高耐压和低导通损耗的应用场景。
　　5. **消费类电子产品**：用于高功率 LED 驱动、电源管理模块等，提供高效、稳定的功率控制。