NTA4151PT1G参数
源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360
最大漏极电流Id(on)(A):0.760
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150
描述:小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护