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NTA4151PT1G 发布时间 时间:2023/4/12 10:59:04 查看 阅读:538

NTA4151PT1G参数

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360

最大漏极电流Id(on)(A):0.760

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150

描述:小信号p沟道-20 V, -760 mA  MOSFET 带ESD保护

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTA4151PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C760mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C360 毫欧 @ 350mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds156pF @ 5V
  • 功率 - 最大301mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装SC-75,SOT-416
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTA4151PT1GOSTR