时间：2023/4/12 10:59:04
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NTA4151PT1G参数
源漏极间雪崩电压VBR(V)：20(min)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：360
最大漏极电流Id(on)(A)：0.760
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：SC-75/-55 ~150
描述：小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
