ST4DF60L 时间：2025/7/23 5:31:22 阅读：4

ST4DF60L是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高效能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件采用先进的沟槽栅技术，具备优异的导通电阻和开关性能，适用于各种功率电子应用。ST4DF60L通常用于电源转换、电机控制、负载开关和功率管理等领域，具备较高的可靠性和稳定性。该器件采用DFN（双扁平无引脚）封装，具有较小的封装体积和良好的热管理性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：10nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：DFN
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V

特性

ST4DF60L具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。其次，该器件的高开关速度使其适用于高频应用，减少开关损耗并提高整体性能。此外，DFN封装提供了优异的散热能力，使器件能够在较高环境温度下稳定工作。ST4DF60L还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，提高了器件的耐用性和可靠性。由于其紧凑的封装设计，该MOSFET适用于空间受限的电路设计，如便携式电子设备和小型电源模块。该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准驱动电路进行控制，简化了设计流程。
　　ST4DF60L的制造工艺采用了先进的硅技术，确保了器件的稳定性和一致性。其内部结构优化了电场分布，降低了漏电流，并提高了器件的耐压能力。此外，该MOSFET具有较低的热阻，能够在高温环境下保持良好的工作稳定性。这些特性使得ST4DF60L在工业自动化、消费类电子产品和汽车电子系统中具有广泛的应用前景。

应用

ST4DF60L广泛应用于各类功率电子系统中，特别是在需要高效能和低功耗的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器和负载开关控制。此外，该器件也适用于LED照明驱动电路、智能电表和电源管理模块。在汽车电子领域，ST4DF60L可用于车载充电系统、车身控制模块和辅助电源单元。由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，ST4DF60L也非常适合空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴电子产品。