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NT6TL64T64C5-G0 发布时间 时间:2025/7/29 12:16:52 查看 阅读:6

NT6TL64T64C5-G0是一款由Nanya公司生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款DRAM芯片的容量为64M x 64,总容量为4GB(Gigabytes)。它采用了双倍数据速率(DDR)技术,能够在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据,从而显著提高数据传输速率。该芯片通常用于需要高速数据存储和访问的设备中,例如个人电脑、服务器、嵌入式系统以及其他需要大容量内存的应用场景。NT6TL64T64C5-G0的工作电压为2.5V,适用于标准的工业温度范围,确保在各种环境下稳定运行。

参数

容量:64M x 64 (4GB)
  类型:DRAM
  电压:2.5V
  封装:TSOP
  接口:DDR SDRAM
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  时钟频率:166MHz

特性

NT6TL64T64C5-G0是一款高性能的DRAM芯片,具备高速数据传输能力和稳定的运行性能。其采用的DDR技术使其能够在每个时钟周期内完成两次数据传输,从而实现比传统SDRAM更高的带宽。此外,该芯片的64M x 64架构使其在大容量存储需求的应用中表现出色,适合用于高性能计算设备和存储密集型系统。
  该芯片的工作电压为2.5V,相比早期的5V DRAM芯片,功耗更低,能效更高。封装采用TSOP(薄型小外形封装),具有良好的散热性能和较小的体积,适合高密度PCB布局。此外,NT6TL64T64C5-G0支持标准的工业温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在各种工作环境中都能稳定运行。
  这款DRAM芯片还具备良好的兼容性,可以与多种控制器和主板平台配合使用,广泛应用于个人计算机、服务器、嵌入式系统等领域。其高带宽和低延迟特性使其非常适合需要频繁访问内存的应用,如图像处理、数据库管理、虚拟化技术等。

应用

NT6TL64T64C5-G0主要用于需要大容量内存和高速数据访问的电子设备中。典型应用包括个人电脑(PC)、服务器、工作站、嵌入式系统、工业控制设备以及网络设备等。由于其高性能和大容量的特点,该芯片也适用于图像处理、视频编辑、虚拟化技术、数据库服务器等对内存需求较高的应用场景。

替代型号

NT6TL64T64C5-G0的替代型号包括NT6TL64T64B4-3C和MT48LC16M16A2B4-6A。这些型号在容量、接口和性能方面相似,可以作为替代方案使用。

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