NT5CB256M8GN-DI 是一款高性能的 DDR3 SDRAM 芯片,主要应用于需要高带宽和低功耗的电子设备中。该芯片具有快速的数据传输能力以及较低的工作电压,能够在多种计算和嵌入式系统中提供稳定的内存支持。其采用先进的工艺制造,确保了在各种工作条件下的可靠性和高效性。
该型号是为满足现代电子设备对大容量、高速度存储的需求而设计的。它通常被用于台式机、笔记本电脑、网络设备、工业控制等领域。
类型:DDR3 SDRAM
容量:256Mb
组织方式:16Mx16
I/O 宽度:x8/x16
工作电压:1.35V
数据速率:最高 1600Mbps
封装形式:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:78
NT5CB256M8GN-DI 具备以下显著特性:
1. 支持 DDR3 标准,提供更高的数据吞吐量和更低的延迟。
2. 使用 1.35V 的低工作电压,有助于降低功耗,延长电池寿命(在便携式设备中尤为重要)。
3. 内置自动刷新和自刷新功能,可减少外部控制器的复杂性。
4. 支持 CAS 级联延迟,以优化读取性能。
5. 提供多种省电模式,包括深度电源降级模式(DPD)和部分阵列自刷新(PASR)。
6. 高速接口支持高达 1600Mbps 的数据传输速率,适用于需要高带宽的应用场景。
NT5CB256M8GN-DI 广泛应用于以下领域:
1. 台式计算机和笔记本电脑中的内存扩展。
2. 工业控制设备中的实时数据处理和存储。
3. 网络通信设备,例如路由器和交换机的缓冲存储。
4. 医疗设备中的数据记录与处理。
5. 嵌入式系统中的临时数据存储。
6. 消费类电子产品,如高清电视和机顶盒。
NT5CB256M8GJ-DI
MT41K256M8HX-125IT
H5TC2G83MFR-PBA
K4B2G1646Q-HYH7