时间：2025/6/29 0:16:43
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FQD7N60C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高频开关的电路中。该器件具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够有效地减少功率损耗并提高系统效率。
FQD7N60C采用TO-220封装形式，这种封装具备良好的散热性能，适合于高功率应用场景。其出色的电气特性使其成为众多电力电子设计中的理想选择。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：0.35Ω
栅极电荷：10nC
开关速度：快速
封装形式：TO-220
FQD7N60C的主要特性包括：
1. 高击穿电压（600V），适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻（典型值为0.35Ω），有助于降低导通状态下的功耗。
3. 快速开关能力，支持高频操作，从而减少磁性元件体积和成本。
4. 较小的栅极电荷（10nC），可以降低驱动功耗。
5. TO-220封装提供优秀的散热性能，确保器件在高功率条件下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范要求。
FQD7N60C适用于多种电力电子设备和场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器和升压/降压电路。
3. 电机驱动控制，如无刷直流电机（BLDC）控制器。
4. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
5. 各种需要高效能功率开关的应用，例如LED驱动器和电池管理系统（BMS）。
FQP12N60C, IRF840, STP7NK60Z
