NT5CB256M8FN-CG 是一款高性能的 DDR3L SDRAM(低电压同步动态随机存取存储器),广泛应用于需要高带宽和低功耗的嵌入式系统中。DDR3L 是 DDR3 的一种低电压版本,工作电压为 1.35V,能够在保证性能的同时降低功耗。
该芯片具有高数据传输速率、低延迟以及出色的稳定性,适用于网络设备、工业控制、医疗设备等对性能要求较高的领域。
容量:2GB
位宽:8位
工作电压:1.35V
数据传输速率:1600Mbps
封装类型:FBGA
引脚数:96
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储周期:7.8ns
刷新模式:自动刷新/自刷新
NT5CB256M8FN-CG 芯片采用 DDR3L 技术,支持高达 1600Mbps 的数据传输速率,显著提升系统性能。
其低工作电压设计有助于减少能耗,非常适合电池供电或对能效有严格要求的应用场景。
此外,该芯片具备较强的抗干扰能力和稳定性,能够在极端温度条件下保持正常运行。
内置的 ECC(错误检查与纠正)功能进一步提升了数据可靠性,降低了因内存错误导致的系统故障风险。
芯片还支持多种刷新模式,包括自动刷新和自刷新,以适应不同的使用环境需求。
NT5CB256M8FN-CG 主要应用于需要高性能存储解决方案的场景,例如:
1. 工业自动化控制系统
2. 医疗成像设备
3. 网络通信设备(如路由器、交换机等)
4. 嵌入式计算平台
5. 数字标牌和其他多媒体应用
这些应用都需要快速的数据处理能力和低功耗特性,而 NT5CB256M8FN-CG 恰好能够满足这些需求。
NT5CB256M8FN-DG
NT5CB256M8FN-EF
MT41K256M8HB-125 IT