时间：2025/6/22 14:45:32
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NT2955G 是一款高性能的 N 沃特（NVT）系列场效应晶体管（MOSFET），属于增强型 P 沟道 MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等场景。
NT2955G 采用 TO-220 封装形式，适用于高功率密度设计需求。它能够承受较高的电压并提供稳定的性能表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：-18A
导通电阻：7.5mΩ（典型值，在 Vgs=-4.5V 时）
栅极电荷：36nC（典型值）
输入电容：1300pF（典型值）
总功耗：110W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NT2955G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力使其适合高频应用。
3. 提供强大的过流保护和热稳定性，确保长时间运行的可靠性。
4. 良好的动态性能与静态性能平衡。
5. 宽工作温度范围支持恶劣环境下的使用。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
NT2955G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载切换。
4. 电机驱动中的桥式电路元件。
5. 各种工业控制设备中的功率开关组件。
6. 通信系统中的电源模块设计。
NTMFS4C166G, IRF5305, FDP18N30
