时间：2025/8/7 11:05:37
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NSVC2050JBT3G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，提供低导通电阻和高电流能力，适用于负载开关、DC-DC 转换器和电池管理系统等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大连续漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：@4.5V=25mΩ，@2.5V=40mΩ
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-23-6
NSVC2050JBT3G MOSFET 采用先进的 Trench 技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其 N 沟道增强型结构提供了快速的开关性能，适用于高频应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可以在 2.5V 至 4.5V 之间正常工作，使其兼容多种控制电路。
该 MOSFET 的封装形式为 SOT-23-6，具有较小的尺寸，适合在空间受限的设计中使用。同时，它具有良好的热稳定性和高可靠性，适合在工业级温度范围内运行。NSVC2050JBT3G 还具有出色的抗雪崩能力和过载保护特性，能够承受瞬时高电流和电压冲击。
NSVC2050JBT3G 主要用于需要高效功率控制的电子系统中。典型应用包括同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池充电和保护电路、电源管理模块以及各种便携式电子产品中的功率控制部分。由于其低导通电阻和高频率响应特性，该 MOSFET 在高频开关电源中表现出色，可有效提高系统效率并减少热量产生。
在工业控制和汽车电子系统中，NSVC2050JBT3G 也常用于电机驱动、LED 驱动器和电源供应器的设计中。其优异的热稳定性和可靠性确保了在高温环境下仍能保持稳定运行。
Si2302DS, FDS6680, AO4406A, BSS138K
