NSV2SC5658M3T5G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。该器件设计用于高频率应用,具备优异的射频(RF)性能,常用于射频放大器、混频器、振荡器以及各种高频电路中。NSV2SC5658M3T5G 采用小型 SOT-23 封装,适用于表面贴装技术(SMT),便于在紧凑型电子设备中使用。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):15 V
最大集电极-基极电压(Vcb):25 V
最大功耗(Pd):225 mW
最大工作频率(fT):8 GHz
电流增益(hFE):在 Ic=2 mA 时,典型值为 80-700(根据档位不同)
封装类型:SOT-23
安装类型:表面贴装
NSV2SC5658M3T5G 拥有出色的高频性能,其过渡频率(fT)高达 8 GHz,使其适用于高频射频电路的设计。该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,可根据不同应用选择不同的增益档位,增强了设计的灵活性。
此外,该器件具有低噪声系数,适合用于低噪声放大器(LNA)的设计。NSV2SC5658M3T5G 的封装尺寸小巧,符合现代电子设备对小型化和轻量化的需求。其表面贴装封装也提高了生产效率和可靠性。
NSV2SC5658M3T5G 主要应用于射频和高频电子电路中,包括射频放大器、混频器、振荡器、调制解调器等。其低噪声特性使其成为低噪声放大器(LNA)的理想选择,广泛用于无线通信系统、卫星接收器、射频识别(RFID)设备等。
2SC5658, 2N3904, BFQ19, BFR181, BFR92