时间：2025/7/22 18:43:27
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NSV2SC5658M3T5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的高频晶体管。该器件设计用于高频率应用，具备优异的射频（RF）性能，常用于射频放大器、混频器、振荡器以及各种高频电路中。NSV2SC5658M3T5G 采用小型 SOT-23 封装，适用于表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型电子设备中使用。
类型：NPN 双极型晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：15 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：25 V
最大功耗（Pd）：225 mW
最大工作频率（fT）：8 GHz
电流增益（hFE）：在 Ic=2 mA 时，典型值为 80-700（根据档位不同）
封装类型：SOT-23
安装类型：表面贴装
NSV2SC5658M3T5G 拥有出色的高频性能，其过渡频率（fT）高达 8 GHz，使其适用于高频射频电路的设计。该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，可根据不同应用选择不同的增益档位，增强了设计的灵活性。
此外，该器件具有低噪声系数，适合用于低噪声放大器（LNA）的设计。NSV2SC5658M3T5G 的封装尺寸小巧，符合现代电子设备对小型化和轻量化的需求。其表面贴装封装也提高了生产效率和可靠性。
NSV2SC5658M3T5G 主要应用于射频和高频电子电路中，包括射频放大器、混频器、振荡器、调制解调器等。其低噪声特性使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择，广泛用于无线通信系统、卫星接收器、射频识别（RFID）设备等。
2SC5658, 2N3904, BFQ19, BFR181, BFR92
