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NSV2SC5658M3T5G 发布时间 时间:2025/7/22 18:43:27 查看 阅读:6

NSV2SC5658M3T5G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。该器件设计用于高频率应用,具备优异的射频(RF)性能,常用于射频放大器、混频器、振荡器以及各种高频电路中。NSV2SC5658M3T5G 采用小型 SOT-23 封装,适用于表面贴装技术(SMT),便于在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):15 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):25 V
  最大功耗(Pd):225 mW
  最大工作频率(fT):8 GHz
  电流增益(hFE):在 Ic=2 mA 时,典型值为 80-700(根据档位不同)
  封装类型:SOT-23
  安装类型:表面贴装

特性

NSV2SC5658M3T5G 拥有出色的高频性能,其过渡频率(fT)高达 8 GHz,使其适用于高频射频电路的设计。该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,可根据不同应用选择不同的增益档位,增强了设计的灵活性。
  此外,该器件具有低噪声系数,适合用于低噪声放大器(LNA)的设计。NSV2SC5658M3T5G 的封装尺寸小巧,符合现代电子设备对小型化和轻量化的需求。其表面贴装封装也提高了生产效率和可靠性。

应用

NSV2SC5658M3T5G 主要应用于射频和高频电子电路中,包括射频放大器、混频器、振荡器、调制解调器等。其低噪声特性使其成为低噪声放大器(LNA)的理想选择,广泛用于无线通信系统、卫星接收器、射频识别(RFID)设备等。

替代型号

2SC5658, 2N3904, BFQ19, BFR181, BFR92

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NSV2SC5658M3T5G参数

  • 现有数量38,290现货40,000Factory
  • 价格1 : ¥3.26000剪切带(CT)8,000 : ¥0.49213卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 1mA,6V
  • 功率 - 最大值260 mW
  • 频率 - 跃迁180MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商器件封装SOT-723