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NSV1C200LT1G 发布时间 时间:2025/6/19 14:54:24 查看 阅读:2

NSV1C200LT1G 是一款由ONSEMI(安森美)生产的肖特基二极管,具有低正向压降和快速恢复时间的特点。该型号采用TO-252表面贴装封装形式,适合于高效能的开关电源、DC-DC转换器以及其他需要低功耗和高频操作的应用场景。
  肖特基二极管以其独特的结构减少了少数载流子存储效应,从而实现了更快的开关速度,同时降低了开关损耗。NSV1C200LT1G在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

最大反向电压:40V
  最大正向电流:2A
  峰值反向恢复电流:2μA(@ 25°C)
  正向电压降:0.37V(典型值@If=1A)
  热阻:100°C/W
  工作结温范围:-55°C to 150°C
  封装类型:TO-252

特性

NSV1C200LT1G具备以下特点:
  1. 超低正向压降,有助于降低功耗并提高效率。
  2. 快速恢复时间,适用于高频应用。
  3. 高可靠性设计,满足严格的工业标准。
  4. 小型化表面贴装封装,便于自动化生产。
  5. 热稳定性好,在宽温度范围内保持一致性能。
  6. 符合RoHS环保要求,无铅制造工艺。

应用

NSV1C200LT1G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的整流和保护电路。
  2. DC-DC转换器中的续流二极管。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 工业控制设备中的信号隔离与保护。
  5. 消费类电子产品的充电管理电路。
  6. 可再生能源设备中的能量转换电路,如太阳能逆变器等。

替代型号

NCS1C200T1G
  MUR120T3G
  SS12
  MBR20100CT

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NSV1C200LT1G参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥4.93000剪切带(CT)3,000 : ¥1.74113卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)100 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大值490 mW
  • 频率 - 跃迁120MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)