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NSSW108T 发布时间 时间:2025/8/14 16:46:48 查看 阅读:12

NSSW108T 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。这款晶体管专为高频率应用而设计,适用于射频(RF)和高速开关等场景。其封装形式为 SOT-23,适用于表面贴装技术,因此在现代电子设备中得到了广泛应用。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  最大工作温度:150°C
  封装类型:SOT-23

特性

NSSW108T 晶体管具有优异的高频性能,能够支持高达 250 MHz 的过渡频率(fT)。这种高频特性使其非常适合用于射频放大器、混频器以及振荡器等高频电路设计。此外,该晶体管的低噪声系数和高增益表现,使其在信号放大和低噪声应用中表现出色。NSSW108T 的 SOT-23 封装形式不仅节省空间,还具有良好的热稳定性和可靠性,适用于高密度 PCB 设计。
  该晶体管的基极-发射极电压(Vbe)通常在 0.7 V 左右,这使其在常规的偏置电路中易于使用。同时,其电流增益(hFE)在不同工作电流下表现出良好的线性度,有助于设计者在不同应用场景中进行精确的电路建模和优化。NSSW108T 还具有较低的饱和压降(Vce_sat),这在开关应用中可以减少功耗并提高效率。

应用

NSSW108T 主要用于射频和高速开关电路,例如无线通信设备中的射频放大器、混频器、振荡器等。此外,它还适用于音频放大器、逻辑电平转换电路、数字开关电路以及传感器接口电路。由于其高频特性和低噪声表现,NSSW108T 也常用于测试和测量设备中的信号处理模块。

替代型号

BC847B, 2N3904, 2N2222

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