NSSW004T 时间：2025/9/10 1:45:06 阅读：17

NSSW004T 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，适用于各类电源转换系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等。该 MOSFET 具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：4.1A
　　导通电阻 Rds(on)：23mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷 Qg：12nC
　　输入电容 Ciss：620pF
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

NSSW004T MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 23mΩ，非常适合用于高电流应用场景。
　　此外，该 MOSFET 具有较小的栅极电荷（Qg=12nC），使得其在高频开关应用中表现出色，有助于降低开关损耗。其输入电容（Ciss）为 620pF，也支持快速的开关转换，从而提高整体系统响应速度。
　　NSSW004T 采用 TSOP 封装，具有良好的散热性能，适合空间受限的设计。该封装方式还支持自动贴片工艺，适用于大批量生产环境。
　　该器件的栅源电压范围为 ±20V，提供了较强的抗过压能力，增强了器件在复杂工作环境中的可靠性。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在各种工业和汽车电子环境中使用。
　　此外，NSSW004T 还具备良好的热稳定性和抗短路能力，能够在瞬态负载条件下保持稳定运行。

应用

NSSW004T 主要应用于电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关等。由于其具备低导通电阻和快速开关特性，特别适合用于高效能电源转换器中，如用于服务器、笔记本电脑和通信设备的电源模块。
　　在汽车电子领域，NSSW004T 可用于车载充电系统、电机驱动控制器和电池保护电路等应用场景。其宽广的工作温度范围和良好的热管理性能，使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 也广泛用于工业自动化设备、智能家电和便携式电子设备中的功率控制电路。例如，在 LED 照明驱动、电机控制和智能开关系统中，NSSW004T 都能提供高效、可靠的开关性能。