NSSM225T 时间：2025/9/11 1:22:23 阅读：8

NSSM225T是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率和高效率的电源转换应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机控制以及电池供电设备等应用场景。NSSM225T封装在高性能的PowerPAK? 8x8封装中，提供了良好的热管理和电气性能，使其在高电流和高频率工作条件下依然能够保持稳定。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A（在VGS=10V时）
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.7mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：PowerPAK? 8x8

特性

NSSM225T采用先进的Trench沟槽技术，提供极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。其低Rds(on)特性对于电源管理和电机控制应用尤为重要，因为这有助于减少发热并提高能量转换效率。
　　此外，该器件具有高耐压能力，最大漏-源电压为30V，适用于多种中高功率的电源转换场景。其高栅极电压耐受能力（±20V）使得在高噪声环境下也能安全工作，降低了栅极驱动电路的设计复杂度。
　　NSSM225T的PowerPAK? 8x8封装设计具有良好的散热性能，能够在高电流负载下保持较低的结温，从而提升器件的可靠性和使用寿命。这种封装还提供了较小的PCB占位面积，有助于实现紧凑的电路设计。
　　该器件支持高频率开关操作，适用于现代高频率开关电源（SMPS）和同步整流电路，能够有效减少外部电感和电容的尺寸，提高系统效率并减小整体尺寸。
　　其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于各种恶劣的工作环境，包括工业控制、汽车电子和高可靠性设备。

应用

NSSM225T广泛应用于各类高功率和高效率的电子系统中。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和高电流能力，非常适合用于同步整流器设计，以提高转换器效率。
　　在电源管理系统中，NSSM225T可用于多相电源设计，为高性能计算设备、服务器和通信设备提供稳定高效的电源供应。同时，该器件也适用于电池管理系统，用于控制电池的充放电过程，提高电池使用效率和安全性。
　　在电机控制领域，NSSM225T可用于H桥驱动电路，控制直流电机或步进电机的正反转和调速。其高耐压和高电流能力使其在工业自动化设备、电动工具和电动汽车中具有良好的应用前景。
　　此外，该器件还可用于负载开关、电源分配系统和热插拔控制电路中，提供快速的开关控制和可靠的过载保护功能。