NSS60200LT1G 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),由 Nexperia 公司生产。该器件采用 LFPAK56D 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能功率转换应用。其工作电压范围宽,能够承受较高的漏源电压,同时具备较低的栅极电荷和输出电容,确保了高效的性能表现。
该 MOSFET 通常被用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池保护等场景。
漏源电压:200V
连续漏极电流:0.97A
导通电阻:4.3Ω
栅极电荷:11nC
总电容:22pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
NSS60200LT1G 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 200V,适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(Rds(on))仅为 4.3Ω,可显著降低传导损耗。
3. 快速开关能力,得益于其低栅极电荷和输出电容设计,适合高频开关应用。
4. 小尺寸封装 LFPAK56D 提供了出色的散热性能和紧凑的空间占用。
5. 工作温度范围宽广,适应极端环境下的运行需求。
6. 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高,适用于汽车级应用。
NSS60200LT1G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
3. 电池管理系统中的电池保护和均衡功能。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各类工业控制和消费类电子产品中的功率管理模块。
NSS60200LT1GTA, PSMN2R9-200SSE