时间：2025/6/3 14:50:26
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NSS60200LT1G 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），由 Nexperia 公司生产。该器件采用 LFPAK56D 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能功率转换应用。其工作电压范围宽，能够承受较高的漏源电压，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，确保了高效的性能表现。
该 MOSFET 通常被用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池保护等场景。
漏源电压：200V
连续漏极电流：0.97A
导通电阻：4.3Ω
栅极电荷：11nC
总电容：22pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NSS60200LT1G 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达 200V，适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)）仅为 4.3Ω，可显著降低传导损耗。
3. 快速开关能力，得益于其低栅极电荷和输出电容设计，适合高频开关应用。
4. 小尺寸封装 LFPAK56D 提供了出色的散热性能和紧凑的空间占用。
5. 工作温度范围宽广，适应极端环境下的运行需求。
6. 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高，适用于汽车级应用。
NSS60200LT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
3. 电池管理系统中的电池保护和均衡功能。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各类工业控制和消费类电子产品中的功率管理模块。
NSS60200LT1GTA, PSMN2R9-200SSE
