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NSS60200LT1G 发布时间 时间:2025/6/3 14:50:26 查看 阅读:5

NSS60200LT1G 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),由 Nexperia 公司生产。该器件采用 LFPAK56D 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能功率转换应用。其工作电压范围宽,能够承受较高的漏源电压,同时具备较低的栅极电荷和输出电容,确保了高效的性能表现。
  该 MOSFET 通常被用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池保护等场景。

参数

漏源电压:200V
  连续漏极电流:0.97A
  导通电阻:4.3Ω
  栅极电荷:11nC
  总电容:22pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

NSS60200LT1G 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 200V,适合多种高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on))仅为 4.3Ω,可显著降低传导损耗。
  3. 快速开关能力,得益于其低栅极电荷和输出电容设计,适合高频开关应用。
  4. 小尺寸封装 LFPAK56D 提供了出色的散热性能和紧凑的空间占用。
  5. 工作温度范围宽广,适应极端环境下的运行需求。
  6. 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高,适用于汽车级应用。

应用

NSS60200LT1G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  3. 电池管理系统中的电池保护和均衡功能。
  4. 电机驱动电路中的功率级元件。
  5. 各类工业控制和消费类电子产品中的功率管理模块。

替代型号

NSS60200LT1GTA, PSMN2R9-200SSE

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NSS60200LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)220mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)150 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大460mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NSS60200LT1GOSTR