QMV176AH5 时间：2025/7/30 2:48:52 阅读：25

QMV176AH5是一款由Qorvo公司生产的高性能射频功率晶体管，属于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）类别。该器件设计用于高功率射频应用，例如雷达、测试设备、通信系统以及其他需要高功率和高频率的工业设备。QMV176AH5采用了先进的GaN on SiC技术，具备优异的热性能和高效率，可在高频率范围内提供稳定的性能。其工作频率范围覆盖了从直流到超过6GHz的范围，使其在多频段和宽带应用中表现出色。

参数

类型：GaN HEMT晶体管
　　技术：GaN on SiC
　　工作频率：DC至6 GHz
　　漏极电流（ID）：30 A
　　漏极电压（VD）：50 V
　　输出功率：典型值为176 W（脉冲模式）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：典型值65%
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　封装尺寸：符合行业标准的5mm x 7mm陶瓷封装
　　工作温度范围：-55°C至+225°C

特性

QMV176AH5具有多项优异的电气和物理特性，适用于高功率和高频应用。首先，其基于GaN on SiC的技术使其在高频下具有出色的性能，同时具备优异的热导率，能够在高功率密度条件下保持稳定运行。此外，QMV176AH5的高漏极电压（50 V）允许在更高的电压下工作，从而提高输出功率和效率。该器件的高效率（典型值65%）有助于减少功耗和散热需求，提高系统的整体能效。其封装设计采用了5mm x 7mm的陶瓷表面贴装形式，符合行业标准，便于集成到现代射频电路板中。QMV176AH5的宽工作温度范围（-55°C至+225°C）确保了其在极端环境条件下的可靠性。该晶体管还具有良好的线性度和稳定性，适用于脉冲和连续波（CW）操作模式。综合来看，QMV176AH5是一款适用于高功率射频应用的高性能晶体管，具备优异的电气性能和可靠的物理特性。
　　QMV176AH5的高增益特性（18 dB）使其在射频放大器设计中具有显著优势，能够减少前级驱动的需求，提高整体系统的集成度。其宽带特性使其能够覆盖多个频段，适用于多频段或多用途射频系统。此外，该器件具备较高的抗失真能力，能够在高功率水平下保持信号的完整性，适用于需要高线性度的应用，例如通信基础设施和测试设备。QMV176AH5的封装设计还优化了射频连接和热管理，确保其在高功率运行时的长期稳定性。

应用

QMV176AH5广泛应用于高功率射频放大器、雷达系统、无线基础设施、工业射频设备以及测试和测量仪器中。其高功率和高频特性使其成为现代通信系统中用于信号放大的理想选择。此外，该器件适用于宽带和多频段应用，例如4G/5G基站、Wi-Fi 6接入点、软件定义无线电（SDR）系统等。在雷达系统中，QMV176AH5可以用于发射机的高功率放大级，提供稳定可靠的射频输出。在工业和测试设备中，该晶体管可用于高精度信号源和功率放大器模块的设计。由于其优异的热管理和高可靠性，QMV176AH5也适用于恶劣环境下的应用，如航空航天和国防领域。