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NSI45020T1G 发布时间 时间:2025/5/23 21:24:48 查看 阅读:12

NSI45020T1G 是一款由ONSEMI(安森美)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用Trench工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为TO-263(DPAK),适用于多种功率转换和负载开关应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:180W
  结温范围:-55℃至175℃

特性

NSI45020T1G具备出色的性能特点,包括但不限于:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在大电流应用中可以显著降低功耗。
  2. 高开关速度设计,适合高频工作场景。
  3. 超小型封装,节省PCB空间,便于紧凑型设计。
  4. 热稳定性强,能够在高温环境下长期可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅。
  6. 内置雪崩能量保护功能,提高了系统的鲁棒性。

应用

NSI45020T1G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动和逆变器电路。
  4. 负载开关和电池保护。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的电源管理单元。

替代型号

NTBG290N06LSP1,
  FDP5500,
  IRFZ44N

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NSI45020T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳流/电流管理
  • 系列-
  • 功能*
  • 检测方法*
  • 精确度*
  • 输入电压*
  • 电流 - 输出*
  • 工作温度*
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NSI45020T1G-NDNSI45020T1GOSTR