时间：2025/5/23 21:24:48
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NSI45020T1G 是一款由ONSEMI（安森美）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用Trench工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为TO-263（DPAK），适用于多种功率转换和负载开关应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：27A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：180W
结温范围：-55℃至175℃
NSI45020T1G具备出色的性能特点，包括但不限于：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中可以显著降低功耗。
2. 高开关速度设计，适合高频工作场景。
3. 超小型封装，节省PCB空间，便于紧凑型设计。
4. 热稳定性强，能够在高温环境下长期可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅。
6. 内置雪崩能量保护功能，提高了系统的鲁棒性。
NSI45020T1G广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和逆变器电路。
4. 负载开关和电池保护。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理单元。
NTBG290N06LSP1,
FDP5500,
IRFZ44N
