时间：2025/7/12 6:16:46
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CBR04C299B5GAC 是一款高性能的射频功率晶体管，专为无线通信应用设计。该器件采用了先进的硅锗（SiGe）技术，具有高增益、低噪声和出色的线性度特点，适合用于蜂窝基站、中继器以及其他射频功率放大器场景。
该晶体管在宽带和窄带应用中表现出色，能够满足现代通信系统对高效率和高可靠性的需求。
型号：CBR04C299B5GAC
工作频率范围：30 MHz 至 3 GHz
输出功率：25 W（典型值）
增益：15 dB（典型值）
线性度（IM3）：-35 dBc（典型值）
电源电压：28 V
封装类型：TO-263-7
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
CBR04C299B5GAC 具备以下主要特性：
1. 高效的功率转换能力，在高频段下依然保持稳定的性能。
2. 内置匹配网络，简化了外部电路设计，降低了设计复杂度。
3. 支持多种调制方式，包括但不限于 GSM、CDMA 和 LTE 等标准。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适用于恶劣环境下的长期运行。
5. 提供优异的线性度表现，有效减少失真和干扰信号的产生。
6. 小型化封装设计，便于安装与集成到紧凑型设备中。
CBR04C299B5GAC 广泛应用于以下领域：
1. 无线基础设施，例如蜂窝基站、微波塔等。
2. 固定无线接入（FWA）系统中的射频功率放大。
3. 中继器和其他无线通信设备的功率放大模块。
4. 测试测量仪器中的射频信号源。
5. 军事及航空航天领域的高性能射频放大解决方案。
CBR04C298B5GAC, CBR04C300B5GAC, CBR04C297B5GAC
