NSBC124EPDP6T5G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,适用于高频电源转换场景。该芯片采用增强型设计,支持快速开关操作,同时具备低导通电阻和高击穿电压的特点,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
这款 GaN 功率开关管主要针对消费电子、通信设备和工业应用中的 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器及充电器等需求设计,旨在提高系统效率并减小整体尺寸。
额定电压:650V
连续漏极电流:4A
导通电阻:120mΩ
栅极电荷:30nC
输入电容:1150pF
反向恢复时间:无
最大工作结温:175℃
封装形式:PDP6T5G
NSBC124EPDP6T5G 的主要特性包括:
1. 高速开关能力:由于采用了先进的 GaN 技术,其开关速度显著高于传统硅基 MOSFET,从而减少了开关损耗。
2. 低导通电阻:在高电流密度下维持较低的导通电阻,提升了整体效率。
3. 热稳定性强:能够在较高温度范围内稳定运行,适应多种复杂环境。
4. 小型化封装:PDP6T5G 封装形式有助于减少 PCB 占用面积,并简化散热设计。
5. 易于驱动:具有简单的栅极驱动要求,方便与现有电路集成。
NSBC124EPDP6T5G 广泛应用于以下领域:
1. 快速充电器:用于 USB-PD 充电器中,提升充电效率并缩小产品体积。
2. 开关电源(SMPS):为笔记本电脑、台式机及其他便携式设备提供高效电源解决方案。
3. LED 驱动器:实现更高频率调光功能,降低电磁干扰。
4. 工业电源:如通信基站、服务器电源模块等需要高性能功率转换的应用场景。
NTR2G120N065SC1
GAN042-650WSA
EPC2016C